BJ2988A晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀 晶體管的極限參數(shù)晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過額定值時(shí)，輕則影響晶體管的工作性能，嚴(yán)重時(shí)將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。1.集電極最大允許耗散功率PcmPcm是指晶體管因溫度升高引起參數(shù)的變化不超過規(guī)定值時(shí)，集電極所消耗的最大功率。晶體管在正常工作時(shí)，集電結(jié)加的是反向偏置電壓，集電結(jié)的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過集電結(jié)時(shí)就要產(chǎn)生大量的熱量，結(jié)溫就會(huì)升高，若溫度過高，將導(dǎo)致晶體管不可逆轉(zhuǎn)的損壞。人們根據(jù)晶體管最高允許結(jié)溫定出最大允許耗散功率。為了降低結(jié)溫，對(duì)于大功率晶體管，人們往往要另設(shè)散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，晶體管的Pcm就可以適當(dāng)提高。2.集電極最大允許電流Icm集電極電流增大，會(huì)導(dǎo)致晶體管的電流放大倍數(shù) 下降，當(dāng) 降至低頻電流放大倍數(shù) o的額定倍數(shù)（通常規(guī)定為二分之一或三分之一）時(shí)，此時(shí)的集電極電流稱為集電極最大允許電流Icm。因此，當(dāng)晶體管的集電極電流達(dá)到Icm時(shí)，晶體管雖不致?lián)p壞，但電流放大倍數(shù)已大幅度下降。3.集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEOBVCEO是指晶體管基極開路時(shí)，加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓。對(duì)于NPN型晶體管而言，集電極接電源的正極，發(fā)射極接電源的負(fù)極；對(duì)于PNP型晶體管而言，集電極接電源的負(fù)極，發(fā)射極接電源的正極。當(dāng)加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓大于BVCEO的值時(shí)，流過晶體管的電流會(huì)突然增大，導(dǎo)致晶體管永久性損壞，這種現(xiàn)象稱為擊穿。 產(chǎn)品特點(diǎn)： BJ2988A型晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀可以同時(shí)進(jìn)行瞬態(tài)熱阻及正偏二次擊穿的一次性檢測(cè)。兩種參數(shù)放在同一臺(tái)儀器上檢測(cè)是為了滿足軍用功率晶體管實(shí)際檢測(cè)的需要，是軍用功率晶體管最快速篩選測(cè)試（用幾十分鐘的參數(shù)測(cè)試取代168小時(shí)滿功率老化）及貫徹國(guó)軍標(biāo)所必需的測(cè)試儀器。這種參數(shù)測(cè)試儀不但解決了測(cè)試中的燒管問題，也可直接進(jìn)行正偏二次擊穿功率的檢測(cè)。本儀器的配套電源為本廠生產(chǎn)的WD-9型晶體管穩(wěn)壓電源。BJ2988A晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)：（1）測(cè)試功率：0~750W（2）集電極 發(fā)射極電壓VCE：0~300V 2%（3）發(fā)射極電流IE：0~5A 2%（4）M數(shù)字表：0~ 4.00mV/℃ 3%（5）△VBE數(shù)字表：0~999mV 3%（6）脈寬 ：1mS~1000S（分七檔） 脈寬擴(kuò)展： 1、 2、 5