容量說明 晶圓（NandFlash，主要有三星、海力士、英特爾、鎂光和東芝）廠商在標(biāo)注閃存盤容量時，是以十進(jìn)位為基礎(chǔ)計算的，1GB=1000MB，1MB=1000KB，1KB=1000B；而計算機(jī)是以二進(jìn)制為基礎(chǔ)計算的，1GB=1024MB，1MB=1024KB，1KB=1024B。所以，標(biāo)明2GB的閃存盤實際存儲容量為2 1000 1000 1000=2000000000B。換算成電腦容量為2000000000B 1024 1024 1024=1.86G。 由于計算方法的差異導(dǎo)致產(chǎn)品標(biāo)稱的閃存盤容量與計算器內(nèi)部顯示的閃存盤容量有差別。另外存儲介質(zhì)特性及文件格式管理的需要，也會占用一定的存儲空間，這也會導(dǎo)致產(chǎn)品實際可使用容量比標(biāo)稱容量要低。 以下是可實際使用的容量對照表，僅供參考標(biāo)稱容量可使用容量標(biāo)稱容量可使用容量2GB1.86GB8GB7.51GB4GB3.72GB16GB15.3GB 1.抗震、防潮、防水、防塵、防磁、防靜電，2．智能糾錯：ECC糾錯技術(shù)，智能校正讀寫數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性；3．綠色環(huán)保：符合國際RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。4．均衡(移動）寫入：均衡(移動）寫入技術(shù)為分散控制系統(tǒng)中實時數(shù)據(jù)讀寫技術(shù)，實現(xiàn)芯片寫入數(shù)據(jù)均衡化，數(shù)百倍提高U盤讀寫次數(shù)及壽命，良好的支持重要數(shù)據(jù)存儲和軟件運(yùn)行等實際應(yīng)用。5．防電子干擾：全面實現(xiàn)防電子干擾，護(hù)航數(shù)據(jù)讀寫，避免讀寫過程手機(jī)輻射等干擾造成的數(shù)據(jù)丟失或損毀；容量說明 晶圓（NandFlash，主要有三星、海力士、英特爾、鎂光和東芝）廠商在標(biāo)注閃存盤容量時，是以十進(jìn)位為基礎(chǔ)計算的，1GB=1000MB，1MB=1000KB，1KB=1000B；而計算機(jī)是以二進(jìn)制為基礎(chǔ)計算的，1GB=1024MB，1MB=1024KB，1KB=1024B。所以，標(biāo)明2GB的閃存盤實際存儲容量為2 1000 1000 1000=2000000000B。換算成電腦容量為2000000000B 1024 1024 1024=1.86G。 由于計算方法的差異導(dǎo)致產(chǎn)品標(biāo)稱的閃存盤容量與計算器內(nèi)部顯示的閃存盤容量有差別。另外存儲介質(zhì)特性及文件格式管理的需要，也會占用一定的存儲空間，這也會導(dǎo)致產(chǎn)品實際可使用容量比標(biāo)稱容量要低。 以下是可實際使用的容量對照表，僅供參考標(biāo)稱容量可使用容量標(biāo)稱容量可使用容量256MB244M--256M512MB488M--512M1GB960M--999M2GB1860m--1999M4GB3700M--3999M8GB7500M-7999M 1.抗震、防潮、防水、防塵、防磁、防靜電，2．智能糾錯：ECC糾錯技術(shù)，智能校正讀寫數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性；3．綠色環(huán)保：符合國際RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。4．均衡(移動）寫入：均衡(移動）寫入技術(shù)為分散控制系統(tǒng)中實時數(shù)據(jù)讀寫技術(shù)，實現(xiàn)芯片寫入數(shù)據(jù)均衡化，數(shù)百倍提高U盤讀寫次數(shù)及壽命，良好的支持重要數(shù)據(jù)存儲和軟件運(yùn)行等實際應(yīng)用。5．防電子干擾：全面實現(xiàn)防電子干擾，護(hù)航數(shù)據(jù)讀寫，避免讀寫過程手機(jī)輻射等干擾造成的數(shù)據(jù)丟失或損毀；日常U盤保養(yǎng)維護(hù)：1、請將U盤遠(yuǎn)離潮濕，多塵環(huán)境；2、切勿猛烈撞擊U盤，防止內(nèi)置電路元器件脫落；3、U盤用后請采取正確方式與電腦脫離，請勿與電腦長時間接連（3小時以上）。