薄膜鉑電阻： 用真空沉積的薄膜技術(shù)把鉑濺射在陶瓷基片上，膜厚在2 m以內(nèi)，用玻璃燒結(jié)料把Ni(或Pd)引線固定，經(jīng)激光調(diào)阻制成薄膜元件。 型號(hào)外形尺寸W L Hmm標(biāo)稱阻值R0工作電流mA引線尺寸W L Hmm工作溫度℃誤差外形圖mmVEC-1632-Ni 1.6 3.2 1.0 100 10.25 0.15 12-40~450 1/3DINAB2B VEC-1632-Pd0.3 0.2 10-50~500VEC-2005-Ni 2.0 5.0 1.020.25 0.15 12-40~450VEC-2005-Pd0.3 0.2 10-50~500VEC-2005-Ni500 1000 0.50.25 0.15 12-40~450VEC-2005-Pd0.50.3 0.2 10-50~500