HT1104高溫四重組裝超低輸入偏置電流運算放大器額定溫度：-55℃至+255℃單流或分流運算共模輸入電壓范圍包括電源負限低輸入偏置與補償參數(shù)輸入/輸出過載保護高輸入阻抗和超低偏置電流電介質(zhì)分離的無閉鎖設計密封14引線陶瓷DIP數(shù)據(jù)表單下載 (PDF)97kHT1204高溫四重組模擬開關(guān)額定溫度：-55℃到+225℃225℃時最大滲漏為500nA低控制輸入電流線性度高開關(guān)之間串擾低密封14引線陶瓷DIP電介質(zhì)分離的無閉鎖設計單個開關(guān)控制CMOS邏輯電平數(shù)據(jù)表單 (PDF)156kHT506/HT507高溫模擬多路復用器16通道單/8通道雙額定溫度范圍-55℃到+225℃先斷后合開關(guān)無閉鎖I225℃時電阻400I225℃時8通道漏電1.2A分離或單一供電性能數(shù)據(jù)表單 (PDF)112kHTANFET高溫N溝道電源場效應晶體管額定溫度：-55℃至+225℃持續(xù)輸出電流可達1Amp典型輸入電壓可達90V絕緣層上覆硅(SOI)4引腳電源帶式封裝或帶整體散熱器的8引腳陶瓷Dip數(shù)據(jù)表單169kHTPLREG高溫正線性穩(wěn)壓器額定溫度范圍：-55℃至+225℃輸出電流可達300mA校準+15,+10和+5V輸出輸入電壓可達-28V靜態(tài)電流3.0mA電流極限和短路保護密封4-引腳封裝數(shù)據(jù)表單94kHTCCG高溫晶體時鐘發(fā)生器額定溫度：-55℃至+225℃與CMOS/TTL相匹配輸出頻率24KHz-20MHz被2,4,8分開單5V供電電源密封14引腳陶瓷DIP與外部晶體接口數(shù)據(jù)表單148kHT6256高溫靜態(tài)存儲器額定溫度：-55℃至+225℃用THMOSTMIV絕緣層上覆硅生產(chǎn)讀取/寫入循環(huán)時間50ns支持20MHz時鐘異步操作輸入/輸出緩沖器單5V10%供電電源密封28引線陶瓷DIP數(shù)據(jù)表單下載 (PDF)246kHT83C51高溫83C51微控制器IHTMOS額定溫度：-55℃至+225℃優(yōu)化8-bitCPU用于5V控制用途四個8-bit雙向平行端口三個帶有一個遞增/遞減定時器/計數(shù)器和時鐘輸出的16-bit定時器/計數(shù)器可編程計數(shù)器陣列帶有七個源極和四個優(yōu)先級的中斷結(jié)構(gòu)半雙方的可編程串行端口帶有~成幀誤差檢測~自動地址識別I64k外部程序存儲器地址空間數(shù)據(jù)表單下載 (PDF)296k