LED外延片工藝流程： 近十幾年來，為了開發(fā)藍(lán)色高亮度發(fā)光二極管，世界各地相關(guān)研究的人員無不全力投入。而商業(yè)化的產(chǎn)品如藍(lán)光及綠光發(fā)光二級(jí)管LED及激光二級(jí)管LD的應(yīng)用無不說明了III－V族元素所蘊(yùn)藏的潛能。在目前商品化LED之材料及其外延技術(shù)中，紅色及綠色發(fā)光二極管之外延技術(shù)大多為液相外延成長(zhǎng)法為主，而黃色、橙色發(fā)光二極管目前仍以氣相外延成長(zhǎng)法成長(zhǎng)磷砷化鎵GaAsP材料為主。 一般來說，GaN的成長(zhǎng)須要很高的溫度來打斷NH3之N-H的鍵解，另外一方面由動(dòng)力學(xué)仿真也得知NH3和MOGas會(huì)進(jìn)行反應(yīng)產(chǎn)生沒有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。