AlGaInPLED芯片介紹 精確設計外延層結構和控制MOCVD生長工藝，針對不同應用，生產不同規(guī)格外延片，通過細致的芯片加工工藝，使LED芯片成為客戶手中的藝術品，給予用戶更多的附加值。 數碼點陣系列： T07R1BT08R1BT09R1C其它波段、尺寸等規(guī)格可應需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.2VIv:20-40mcd20-40mcd40-60mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 景觀照明，燈光布景，室內裝修系列： T07R1ET07R1FT08R1G其它波段、尺寸等規(guī)格可應需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.3VIv:70-90mcd80-100mcd90-110mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 顯示屏、交通燈系列： T08R1JT09R1KT12R1L其它波段、尺寸等規(guī)格可應需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.2VIv:120-140mcd130-150mcd140-170mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 高可靠性 E 系列：動態(tài)線性飽和度大，與常規(guī)產品相比，瞬態(tài)20ms飽和電流增加70%，耐電流沖擊能力強。工作結溫低，波長隨電流變化小，高溫加速老化亮度衰減減少2%。適用于一定苛刻環(huán)境下的使用。 TE1R1KTE2R1LTE3R1M其它波段、尺寸等規(guī)格可應需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.2V1.8-2.2VIv:130-150mcd140-170mcd150-180mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30