AlGaInPLED芯片 產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)：T80R**** 產(chǎn)品特點(diǎn)： l 高亮度，發(fā)熱少，壽命長，電光轉(zhuǎn)換率高l 低電流應(yīng)用，損耗小l 燈飾/戶內(nèi)外應(yīng)用l 光強(qiáng)和波長良好的一致性 物理參數(shù)：光罩尺寸8milx8mil(200 mx200 m)芯片厚度190 m 10 m電極直徑95 m 5 mP電極Au，AlN電極Au光電參數(shù)(If=20mA，22 C)型號(hào)主波長( d,nm)正向電壓(Vf,V)反向電流(Ir, A)Vr=-10V反向電壓(Vz,V)Iz=-10 AT08R1***620-6251.9-2.20-10 10T08R2***625-6301.9-2.20-10 10T08R3***630-6351.9-2.20-10 10 光強(qiáng)參數(shù)(If=20mA，22 C)等級(jí)EFGIV(mcd)60-8070-10080-110 其他說明:1) 光電參數(shù)均使用太時(shí)芯光公司標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備在晶圓條件下抽樣測試結(jié)果。2) 芯片封裝工藝最高溫度低于280℃，持續(xù)時(shí)間小于10秒。3) 芯片光電性能標(biāo)稱值90%以上的代表性。4) 可根據(jù)客戶要求訂做特殊規(guī)格的芯片。