MD4510型磁阻效應實驗儀概述： 本實驗裝置使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測量磁感應強度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小?？捎^測半導體的霍爾效應和磁阻效應兩種物理規(guī)律，及其作為磁測量不同應用，具有研究性和相關性的實驗特點，適合于基礎物理實驗和綜合性物理實驗。主要技術參數(shù)及性能： 1、IM：勵磁電流，直流0~900mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯； 2、Is：傳感器工作電流，直流0~1mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯； 3、數(shù)字式磁場強度和磁阻電壓測量：磁場強度0~999mT，準確率1%；磁阻電壓0~2000mV，準確率為0.5%。