InGaAs雪崩光電二極管組件特點(diǎn)： 高響應(yīng)度 寬帶寬 增益可達(dá)20 同軸尾纖式封裝應(yīng)用： 微弱信號(hào)模擬光接收機(jī) OTDR技術(shù)指標(biāo)（TC=25℃）：參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件MinTypMax單位響應(yīng)波長(zhǎng) 1100 1650nm光敏面直徑 50 m擊穿電壓VBRId=100 A304560V擊穿電壓溫度系數(shù) Tc=25~85℃ 0.10.15V/℃響應(yīng)度R =1310nm、M=10.80.85 A/W =1550nm、M=10.90.95 暗電流Id e=0、M=10 110nA電容CtM=10、f=1MHz 0.41.0Pf-3dB帶寬Fc =1550nm、M=1023 GHz光回?fù)pORL =1550nm、SM30 dB工作電壓VR =1550nm、M=100.9~0.95VBRV額定極限值： 正向電流：10mA 反向電流：3mA 工作溫度：-40～+85℃ 存儲(chǔ)溫度：-40～+85℃ 焊接條件：260℃/10S